Existe uma desvantagem importante no JFET que pode ser entendida referindo-se novamente à Figura 1. Iremos discutir esta desvantagem com relação ao transistor JFET de canal N da Figura 1. Você irá notar que o material P e o material N formam uma junção na região da porta e do canal. Esta junção é a mesma de um diodo de estado sólido. A Figura 2 mostra como é feito um diodo de junção de estado sólido.

Figura 1

Figura 2

Observe que o anodo é feito de material tipo P e o catodo de material tipo N. Você
pode rever a ação deste diodo referindo-se à Figura 3.

Quando o anodo é positivo, com relação ao catodo, conforme indicado na Figura 3b, há um fluxo de corrente através do mesmo. Isto chama-se polarização direta. Quando o diodo está com polarização reversa, conforme indicado na Figura 3a seu anodo é negativo com relação ao seu catodo e não há fluxo de corrente.

Figura 3

Refira-se mais uma vez ao transistor JFET de canal N. da Figura 1a. A porta e o canal formam uma junção PN igual aquela existente no diodo. Enquanto esta junção estiver com polarização positiva, não há fluxo de corrente no terminal da porta. Porém, se o terminal da porta do transistor JFET de canal N for tornado positivo, com relação ao canal, a junção PN terá polarização direta. Isto irá provocar o fluxo da corrente da porta. Isto é altamente indesejável, porque o transistor JFET é suposto a operar sem corrente na porta. E a tensão que controla a corrente do dreno e presume-se sempre que não há fluxo de corrente na porta, no circuito do transistor JFET.

O transistor MOSFET é semelhante ao transistor .IFET; possui uma camada isolante colocada em solta da porta. A região isolante em solta da porta está claramente indicada na Figura 4.

Figura 4

Uma vez que existe material isolante em volta da porta, é muito mais difícil provocar o fluxo de corrente na porta mesmo se a junção porta-canal tiver acidentalmente
polarização direta (em livros mais antigos, este componente pode ser designado por
transistor FET com porta isolada).